IPB03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
Číslo dílu
IPB03N03LA G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7027pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51692 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB03N03LA G
IPB03N03LA G Elektronické komponenty
IPB03N03LA G Odbyt
IPB03N03LA G Dodavatel
IPB03N03LA G Distributor
IPB03N03LA G Datová tabulka
IPB03N03LA G Fotky
IPB03N03LA G Cena
IPB03N03LA G Nabídka
IPB03N03LA G Nejnižší cena
IPB03N03LA G Vyhledávání
IPB03N03LA G Nákup
IPB03N03LA G Chip