Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB036N12N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
211nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13800pF @ 60V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26823 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB036N12N3GATMA1
IPB036N12N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPB036N12N3GATMA1 Odbyt
IPB036N12N3GATMA1 Dodavatel
IPB036N12N3GATMA1 Distributor
IPB036N12N3GATMA1 Datová tabulka
IPB036N12N3GATMA1 Fotky
IPB036N12N3GATMA1 Cena
IPB036N12N3GATMA1 Nabídka
IPB036N12N3GATMA1 Nejnižší cena
IPB036N12N3GATMA1 Vyhledávání
IPB036N12N3GATMA1 Nákup
IPB036N12N3GATMA1 Chip