Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Číslo dílu
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
188W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19319 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB029N06N3GE8187ATMA1
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Elektronické komponenty
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Odbyt
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Dodavatel
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Distributor
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Datová tabulka
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Fotky
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Cena
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Nabídka
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Nejnižší cena
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Vyhledávání
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Nákup
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Chip