Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB024N10N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 183µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
138nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20954 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB024N10N5ATMA1
IPB024N10N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPB024N10N5ATMA1 Odbyt
IPB024N10N5ATMA1 Dodavatel
IPB024N10N5ATMA1 Distributor
IPB024N10N5ATMA1 Datová tabulka
IPB024N10N5ATMA1 Fotky
IPB024N10N5ATMA1 Cena
IPB024N10N5ATMA1 Nabídka
IPB024N10N5ATMA1 Nejnižší cena
IPB024N10N5ATMA1 Vyhledávání
IPB024N10N5ATMA1 Nákup
IPB024N10N5ATMA1 Chip