IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Číslo dílu
IPB015N08N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 279µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
222nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16900pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5715 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB015N08N5ATMA1
IPB015N08N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPB015N08N5ATMA1 Odbyt
IPB015N08N5ATMA1 Dodavatel
IPB015N08N5ATMA1 Distributor
IPB015N08N5ATMA1 Datová tabulka
IPB015N08N5ATMA1 Fotky
IPB015N08N5ATMA1 Cena
IPB015N08N5ATMA1 Nabídka
IPB015N08N5ATMA1 Nejnižší cena
IPB015N08N5ATMA1 Vyhledávání
IPB015N08N5ATMA1 Nákup
IPB015N08N5ATMA1 Chip