IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB011N04NGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21470 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB011N04NGATMA1
IPB011N04NGATMA1 Elektronické komponenty
IPB011N04NGATMA1 Odbyt
IPB011N04NGATMA1 Dodavatel
IPB011N04NGATMA1 Distributor
IPB011N04NGATMA1 Datová tabulka
IPB011N04NGATMA1 Fotky
IPB011N04NGATMA1 Cena
IPB011N04NGATMA1 Nabídka
IPB011N04NGATMA1 Nejnižší cena
IPB011N04NGATMA1 Vyhledávání
IPB011N04NGATMA1 Nákup
IPB011N04NGATMA1 Chip