Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ32H3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Číslo dílu
BUZ32H3045AATMA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20063 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ32H3045AATMA1
BUZ32H3045AATMA1 Elektronické komponenty
BUZ32H3045AATMA1 Odbyt
BUZ32H3045AATMA1 Dodavatel
BUZ32H3045AATMA1 Distributor
BUZ32H3045AATMA1 Datová tabulka
BUZ32H3045AATMA1 Fotky
BUZ32H3045AATMA1 Cena
BUZ32H3045AATMA1 Nabídka
BUZ32H3045AATMA1 Nejnižší cena
BUZ32H3045AATMA1 Vyhledávání
BUZ32H3045AATMA1 Nákup
BUZ32H3045AATMA1 Chip