Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ32 E3045A
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Číslo dílu
BUZ32 E3045A
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9819 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ32 E3045A
BUZ32 E3045A Elektronické komponenty
BUZ32 E3045A Odbyt
BUZ32 E3045A Dodavatel
BUZ32 E3045A Distributor
BUZ32 E3045A Datová tabulka
BUZ32 E3045A Fotky
BUZ32 E3045A Cena
BUZ32 E3045A Nabídka
BUZ32 E3045A Nejnižší cena
BUZ32 E3045A Vyhledávání
BUZ32 E3045A Nákup
BUZ32 E3045A Chip