Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BUZ31L
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
Číslo dílu
BUZ31L
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
95W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30520 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ31L
BUZ31L Elektronické komponenty
BUZ31L Odbyt
BUZ31L Dodavatel
BUZ31L Distributor
BUZ31L Datová tabulka
BUZ31L Fotky
BUZ31L Cena
BUZ31L Nabídka
BUZ31L Nejnižší cena
BUZ31L Vyhledávání
BUZ31L Nákup
BUZ31L Chip