BUZ31 H3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
Číslo dílu
BUZ31 H3045A
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
95W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1120pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33040 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BUZ31 H3045A
BUZ31 H3045A Elektronické komponenty
BUZ31 H3045A Odbyt
BUZ31 H3045A Dodavatel
BUZ31 H3045A Distributor
BUZ31 H3045A Datová tabulka
BUZ31 H3045A Fotky
BUZ31 H3045A Cena
BUZ31 H3045A Nabídka
BUZ31 H3045A Nejnižší cena
BUZ31 H3045A Vyhledávání
BUZ31 H3045A Nákup
BUZ31 H3045A Chip