BSZ180P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Číslo dílu
BSZ180P03NS3EGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34568 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ180P03NS3EGATMA1
BSZ180P03NS3EGATMA1 Elektronické komponenty
BSZ180P03NS3EGATMA1 Odbyt
BSZ180P03NS3EGATMA1 Dodavatel
BSZ180P03NS3EGATMA1 Distributor
BSZ180P03NS3EGATMA1 Datová tabulka
BSZ180P03NS3EGATMA1 Fotky
BSZ180P03NS3EGATMA1 Cena
BSZ180P03NS3EGATMA1 Nabídka
BSZ180P03NS3EGATMA1 Nejnižší cena
BSZ180P03NS3EGATMA1 Vyhledávání
BSZ180P03NS3EGATMA1 Nákup
BSZ180P03NS3EGATMA1 Chip