BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Číslo dílu
BSZ16DN25NS3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 32µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22274 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ16DN25NS3GATMA1
BSZ16DN25NS3GATMA1 Elektronické komponenty
BSZ16DN25NS3GATMA1 Odbyt
BSZ16DN25NS3GATMA1 Dodavatel
BSZ16DN25NS3GATMA1 Distributor
BSZ16DN25NS3GATMA1 Datová tabulka
BSZ16DN25NS3GATMA1 Fotky
BSZ16DN25NS3GATMA1 Cena
BSZ16DN25NS3GATMA1 Nabídka
BSZ16DN25NS3GATMA1 Nejnižší cena
BSZ16DN25NS3GATMA1 Vyhledávání
BSZ16DN25NS3GATMA1 Nákup
BSZ16DN25NS3GATMA1 Chip