BSZ165N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
Číslo dílu
BSZ165N04NSGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36821 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGATMA1 Elektronické komponenty
BSZ165N04NSGATMA1 Odbyt
BSZ165N04NSGATMA1 Dodavatel
BSZ165N04NSGATMA1 Distributor
BSZ165N04NSGATMA1 Datová tabulka
BSZ165N04NSGATMA1 Fotky
BSZ165N04NSGATMA1 Cena
BSZ165N04NSGATMA1 Nabídka
BSZ165N04NSGATMA1 Nejnižší cena
BSZ165N04NSGATMA1 Vyhledávání
BSZ165N04NSGATMA1 Nákup
BSZ165N04NSGATMA1 Chip