Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Číslo dílu
BSZ150N10LS3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 33µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51886 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova BSZ150N10LS3GATMA1
BSZ150N10LS3GATMA1 Elektronické komponenty
BSZ150N10LS3GATMA1 Odbyt
BSZ150N10LS3GATMA1 Dodavatel
BSZ150N10LS3GATMA1 Distributor
BSZ150N10LS3GATMA1 Datová tabulka
BSZ150N10LS3GATMA1 Fotky
BSZ150N10LS3GATMA1 Cena
BSZ150N10LS3GATMA1 Nabídka
BSZ150N10LS3GATMA1 Nejnižší cena
BSZ150N10LS3GATMA1 Vyhledávání
BSZ150N10LS3GATMA1 Nákup
BSZ150N10LS3GATMA1 Chip