BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Číslo dílu
BSZ130N03LSGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
970pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12132 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ130N03LSGATMA1
BSZ130N03LSGATMA1 Elektronické komponenty
BSZ130N03LSGATMA1 Odbyt
BSZ130N03LSGATMA1 Dodavatel
BSZ130N03LSGATMA1 Distributor
BSZ130N03LSGATMA1 Datová tabulka
BSZ130N03LSGATMA1 Fotky
BSZ130N03LSGATMA1 Cena
BSZ130N03LSGATMA1 Nabídka
BSZ130N03LSGATMA1 Nejnižší cena
BSZ130N03LSGATMA1 Vyhledávání
BSZ130N03LSGATMA1 Nákup
BSZ130N03LSGATMA1 Chip