BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Číslo dílu
BSZ110N08NS5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 22µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12198 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ110N08NS5ATMA1
BSZ110N08NS5ATMA1 Elektronické komponenty
BSZ110N08NS5ATMA1 Odbyt
BSZ110N08NS5ATMA1 Dodavatel
BSZ110N08NS5ATMA1 Distributor
BSZ110N08NS5ATMA1 Datová tabulka
BSZ110N08NS5ATMA1 Fotky
BSZ110N08NS5ATMA1 Cena
BSZ110N08NS5ATMA1 Nabídka
BSZ110N08NS5ATMA1 Nejnižší cena
BSZ110N08NS5ATMA1 Vyhledávání
BSZ110N08NS5ATMA1 Nákup
BSZ110N08NS5ATMA1 Chip