Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Číslo dílu
BSZ097N10NS5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 36µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2080pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39834 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova BSZ097N10NS5ATMA1
BSZ097N10NS5ATMA1 Elektronické komponenty
BSZ097N10NS5ATMA1 Odbyt
BSZ097N10NS5ATMA1 Dodavatel
BSZ097N10NS5ATMA1 Distributor
BSZ097N10NS5ATMA1 Datová tabulka
BSZ097N10NS5ATMA1 Fotky
BSZ097N10NS5ATMA1 Cena
BSZ097N10NS5ATMA1 Nabídka
BSZ097N10NS5ATMA1 Nejnižší cena
BSZ097N10NS5ATMA1 Vyhledávání
BSZ097N10NS5ATMA1 Nákup
BSZ097N10NS5ATMA1 Chip