Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
Číslo dílu
BSZ0909NSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
34V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta), 36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21909 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ0909NSATMA1
BSZ0909NSATMA1 Elektronické komponenty
BSZ0909NSATMA1 Odbyt
BSZ0909NSATMA1 Dodavatel
BSZ0909NSATMA1 Distributor
BSZ0909NSATMA1 Datová tabulka
BSZ0909NSATMA1 Fotky
BSZ0909NSATMA1 Cena
BSZ0909NSATMA1 Nabídka
BSZ0909NSATMA1 Nejnižší cena
BSZ0909NSATMA1 Vyhledávání
BSZ0909NSATMA1 Nákup
BSZ0909NSATMA1 Chip