Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
Číslo dílu
BSZ060NE2LSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24537 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ060NE2LSATMA1
BSZ060NE2LSATMA1 Elektronické komponenty
BSZ060NE2LSATMA1 Odbyt
BSZ060NE2LSATMA1 Dodavatel
BSZ060NE2LSATMA1 Distributor
BSZ060NE2LSATMA1 Datová tabulka
BSZ060NE2LSATMA1 Fotky
BSZ060NE2LSATMA1 Cena
BSZ060NE2LSATMA1 Nabídka
BSZ060NE2LSATMA1 Nejnižší cena
BSZ060NE2LSATMA1 Vyhledávání
BSZ060NE2LSATMA1 Nákup
BSZ060NE2LSATMA1 Chip