Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
Číslo dílu
BSZ0503NSIATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17807 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ0503NSIATMA1
BSZ0503NSIATMA1 Elektronické komponenty
BSZ0503NSIATMA1 Odbyt
BSZ0503NSIATMA1 Dodavatel
BSZ0503NSIATMA1 Distributor
BSZ0503NSIATMA1 Datová tabulka
BSZ0503NSIATMA1 Fotky
BSZ0503NSIATMA1 Cena
BSZ0503NSIATMA1 Nabídka
BSZ0503NSIATMA1 Nejnižší cena
BSZ0503NSIATMA1 Vyhledávání
BSZ0503NSIATMA1 Nákup
BSZ0503NSIATMA1 Chip