Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
Číslo dílu
BSZ033NE2LS5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1230pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24875 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ033NE2LS5ATMA1
BSZ033NE2LS5ATMA1 Elektronické komponenty
BSZ033NE2LS5ATMA1 Odbyt
BSZ033NE2LS5ATMA1 Dodavatel
BSZ033NE2LS5ATMA1 Distributor
BSZ033NE2LS5ATMA1 Datová tabulka
BSZ033NE2LS5ATMA1 Fotky
BSZ033NE2LS5ATMA1 Cena
BSZ033NE2LS5ATMA1 Nabídka
BSZ033NE2LS5ATMA1 Nejnižší cena
BSZ033NE2LS5ATMA1 Vyhledávání
BSZ033NE2LS5ATMA1 Nákup
BSZ033NE2LS5ATMA1 Chip