Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSZ019N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
Číslo dílu
BSZ019N03LSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TSDSON-8-FL
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Ta). 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31724 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSZ019N03LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1 Elektronické komponenty
BSZ019N03LSATMA1 Odbyt
BSZ019N03LSATMA1 Dodavatel
BSZ019N03LSATMA1 Distributor
BSZ019N03LSATMA1 Datová tabulka
BSZ019N03LSATMA1 Fotky
BSZ019N03LSATMA1 Cena
BSZ019N03LSATMA1 Nabídka
BSZ019N03LSATMA1 Nejnižší cena
BSZ019N03LSATMA1 Vyhledávání
BSZ019N03LSATMA1 Nákup
BSZ019N03LSATMA1 Chip