BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Číslo dílu
BSS225H6327FTSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-243AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT89
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
131pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30073 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSS225H6327FTSA1
BSS225H6327FTSA1 Elektronické komponenty
BSS225H6327FTSA1 Odbyt
BSS225H6327FTSA1 Dodavatel
BSS225H6327FTSA1 Distributor
BSS225H6327FTSA1 Datová tabulka
BSS225H6327FTSA1 Fotky
BSS225H6327FTSA1 Cena
BSS225H6327FTSA1 Nabídka
BSS225H6327FTSA1 Nejnižší cena
BSS225H6327FTSA1 Vyhledávání
BSS225H6327FTSA1 Nákup
BSS225H6327FTSA1 Chip