Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSP89H6327XTSA1
MOSFET N-CH 4SOT223
Číslo dílu
BSP89H6327XTSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223-4
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
240V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 108µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15391 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSP89H6327XTSA1
BSP89H6327XTSA1 Elektronické komponenty
BSP89H6327XTSA1 Odbyt
BSP89H6327XTSA1 Dodavatel
BSP89H6327XTSA1 Distributor
BSP89H6327XTSA1 Datová tabulka
BSP89H6327XTSA1 Fotky
BSP89H6327XTSA1 Cena
BSP89H6327XTSA1 Nabídka
BSP89H6327XTSA1 Nejnižší cena
BSP89H6327XTSA1 Vyhledávání
BSP89H6327XTSA1 Nákup
BSP89H6327XTSA1 Chip