Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSP300H6327XUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Číslo dílu
BSP300H6327XUSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223-4
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29695 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSP300H6327XUSA1
BSP300H6327XUSA1 Elektronické komponenty
BSP300H6327XUSA1 Odbyt
BSP300H6327XUSA1 Dodavatel
BSP300H6327XUSA1 Distributor
BSP300H6327XUSA1 Datová tabulka
BSP300H6327XUSA1 Fotky
BSP300H6327XUSA1 Cena
BSP300H6327XUSA1 Nabídka
BSP300H6327XUSA1 Nejnižší cena
BSP300H6327XUSA1 Vyhledávání
BSP300H6327XUSA1 Nákup
BSP300H6327XUSA1 Chip