Koupit Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

BSP299H6327XUSA1

MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

Číslo dílu

BSP299H6327XUSA1

Výrobce/značka

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-261-4, TO-261AA

Dodavatelský balíček zařízení

PG-SOT223-4

Ztráta energie (max.)

1.8W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

500V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

400mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

4 Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 23960 PCS

Kontaktní informace

Související produkty