BSP171PE6327T
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Číslo dílu
BSP171PE6327T
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223-4
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 460µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
460pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6998 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSP171PE6327T
BSP171PE6327T Elektronické komponenty
BSP171PE6327T Odbyt
BSP171PE6327T Dodavatel
BSP171PE6327T Distributor
BSP171PE6327T Datová tabulka
BSP171PE6327T Fotky
BSP171PE6327T Cena
BSP171PE6327T Nabídka
BSP171PE6327T Nejnižší cena
BSP171PE6327T Vyhledávání
BSP171PE6327T Nákup
BSP171PE6327T Chip