BSP170PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
Číslo dílu
BSP170PL6327HTSA1
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223-4
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34624 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSP170PL6327HTSA1
BSP170PL6327HTSA1 Elektronické komponenty
BSP170PL6327HTSA1 Odbyt
BSP170PL6327HTSA1 Dodavatel
BSP170PL6327HTSA1 Distributor
BSP170PL6327HTSA1 Datová tabulka
BSP170PL6327HTSA1 Fotky
BSP170PL6327HTSA1 Cena
BSP170PL6327HTSA1 Nabídka
BSP170PL6327HTSA1 Nejnižší cena
BSP170PL6327HTSA1 Vyhledávání
BSP170PL6327HTSA1 Nákup
BSP170PL6327HTSA1 Chip