BSP170PE6327T
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Číslo dílu
BSP170PE6327T
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223-4
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52169 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSP170PE6327T
BSP170PE6327T Elektronické komponenty
BSP170PE6327T Odbyt
BSP170PE6327T Dodavatel
BSP170PE6327T Distributor
BSP170PE6327T Datová tabulka
BSP170PE6327T Fotky
BSP170PE6327T Cena
BSP170PE6327T Nabídka
BSP170PE6327T Nejnižší cena
BSP170PE6327T Vyhledávání
BSP170PE6327T Nákup
BSP170PE6327T Chip