BSP129E6327T
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Číslo dílu
BSP129E6327T
Výrobce/značka
Série
SIPMOS®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223-4
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
240V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
108pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29934 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSP129E6327T
BSP129E6327T Elektronické komponenty
BSP129E6327T Odbyt
BSP129E6327T Dodavatel
BSP129E6327T Distributor
BSP129E6327T Datová tabulka
BSP129E6327T Fotky
BSP129E6327T Cena
BSP129E6327T Nabídka
BSP129E6327T Nejnižší cena
BSP129E6327T Vyhledávání
BSP129E6327T Nákup
BSP129E6327T Chip