Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Číslo dílu
BSC123N10LSGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
114W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 72µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27702 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC123N10LSGATMA1
BSC123N10LSGATMA1 Elektronické komponenty
BSC123N10LSGATMA1 Odbyt
BSC123N10LSGATMA1 Dodavatel
BSC123N10LSGATMA1 Distributor
BSC123N10LSGATMA1 Datová tabulka
BSC123N10LSGATMA1 Fotky
BSC123N10LSGATMA1 Cena
BSC123N10LSGATMA1 Nabídka
BSC123N10LSGATMA1 Nejnižší cena
BSC123N10LSGATMA1 Vyhledávání
BSC123N10LSGATMA1 Nákup
BSC123N10LSGATMA1 Chip