Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
Číslo dílu
BSC119N03S G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.9A (Ta), 30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29390 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC119N03S G
BSC119N03S G Elektronické komponenty
BSC119N03S G Odbyt
BSC119N03S G Dodavatel
BSC119N03S G Distributor
BSC119N03S G Datová tabulka
BSC119N03S G Fotky
BSC119N03S G Cena
BSC119N03S G Nabídka
BSC119N03S G Nejnižší cena
BSC119N03S G Vyhledávání
BSC119N03S G Nákup
BSC119N03S G Chip