BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Číslo dílu
BSC110N06NS3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 23µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23710 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC110N06NS3GATMA1
BSC110N06NS3GATMA1 Elektronické komponenty
BSC110N06NS3GATMA1 Odbyt
BSC110N06NS3GATMA1 Dodavatel
BSC110N06NS3GATMA1 Distributor
BSC110N06NS3GATMA1 Datová tabulka
BSC110N06NS3GATMA1 Fotky
BSC110N06NS3GATMA1 Cena
BSC110N06NS3GATMA1 Nabídka
BSC110N06NS3GATMA1 Nejnižší cena
BSC110N06NS3GATMA1 Vyhledávání
BSC110N06NS3GATMA1 Nákup
BSC110N06NS3GATMA1 Chip