Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Číslo dílu
BSC109N10NS3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 45µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21822 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC109N10NS3GATMA1
BSC109N10NS3GATMA1 Elektronické komponenty
BSC109N10NS3GATMA1 Odbyt
BSC109N10NS3GATMA1 Dodavatel
BSC109N10NS3GATMA1 Distributor
BSC109N10NS3GATMA1 Datová tabulka
BSC109N10NS3GATMA1 Fotky
BSC109N10NS3GATMA1 Cena
BSC109N10NS3GATMA1 Nabídka
BSC109N10NS3GATMA1 Nejnižší cena
BSC109N10NS3GATMA1 Vyhledávání
BSC109N10NS3GATMA1 Nákup
BSC109N10NS3GATMA1 Chip