BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Číslo dílu
BSC100N10NSFGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.4A (Ta), 90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8294 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC100N10NSFGATMA1
BSC100N10NSFGATMA1 Elektronické komponenty
BSC100N10NSFGATMA1 Odbyt
BSC100N10NSFGATMA1 Dodavatel
BSC100N10NSFGATMA1 Distributor
BSC100N10NSFGATMA1 Datová tabulka
BSC100N10NSFGATMA1 Fotky
BSC100N10NSFGATMA1 Cena
BSC100N10NSFGATMA1 Nabídka
BSC100N10NSFGATMA1 Nejnižší cena
BSC100N10NSFGATMA1 Vyhledávání
BSC100N10NSFGATMA1 Nákup
BSC100N10NSFGATMA1 Chip