Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
Číslo dílu
BSC098N10NS5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 36µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23599 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC098N10NS5ATMA1
BSC098N10NS5ATMA1 Elektronické komponenty
BSC098N10NS5ATMA1 Odbyt
BSC098N10NS5ATMA1 Dodavatel
BSC098N10NS5ATMA1 Distributor
BSC098N10NS5ATMA1 Datová tabulka
BSC098N10NS5ATMA1 Fotky
BSC098N10NS5ATMA1 Cena
BSC098N10NS5ATMA1 Nabídka
BSC098N10NS5ATMA1 Nejnižší cena
BSC098N10NS5ATMA1 Vyhledávání
BSC098N10NS5ATMA1 Nákup
BSC098N10NS5ATMA1 Chip