BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Číslo dílu
BSC0902NSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12866 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC0902NSATMA1
BSC0902NSATMA1 Elektronické komponenty
BSC0902NSATMA1 Odbyt
BSC0902NSATMA1 Dodavatel
BSC0902NSATMA1 Distributor
BSC0902NSATMA1 Datová tabulka
BSC0902NSATMA1 Fotky
BSC0902NSATMA1 Cena
BSC0902NSATMA1 Nabídka
BSC0902NSATMA1 Nejnižší cena
BSC0902NSATMA1 Vyhledávání
BSC0902NSATMA1 Nákup
BSC0902NSATMA1 Chip