Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Číslo dílu
BSC084P03NS3EGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 110µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4240pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35996 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3EGATMA1 Elektronické komponenty
BSC084P03NS3EGATMA1 Odbyt
BSC084P03NS3EGATMA1 Dodavatel
BSC084P03NS3EGATMA1 Distributor
BSC084P03NS3EGATMA1 Datová tabulka
BSC084P03NS3EGATMA1 Fotky
BSC084P03NS3EGATMA1 Cena
BSC084P03NS3EGATMA1 Nabídka
BSC084P03NS3EGATMA1 Nejnižší cena
BSC084P03NS3EGATMA1 Vyhledávání
BSC084P03NS3EGATMA1 Nákup
BSC084P03NS3EGATMA1 Chip