BSC019N06NSATMA1
DIFFERENTIATED MOSFETS
Číslo dílu
BSC019N06NSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-TDSON (5x6)
Ztráta energie (max.)
136W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 74µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5.25nF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40722 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC019N06NSATMA1
BSC019N06NSATMA1 Elektronické komponenty
BSC019N06NSATMA1 Odbyt
BSC019N06NSATMA1 Dodavatel
BSC019N06NSATMA1 Distributor
BSC019N06NSATMA1 Datová tabulka
BSC019N06NSATMA1 Fotky
BSC019N06NSATMA1 Cena
BSC019N06NSATMA1 Nabídka
BSC019N06NSATMA1 Nejnižší cena
BSC019N06NSATMA1 Vyhledávání
BSC019N06NSATMA1 Nákup
BSC019N06NSATMA1 Chip