Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC019N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Číslo dílu
BSC019N02KSGAUMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 350µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49212 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC019N02KSGAUMA1
BSC019N02KSGAUMA1 Elektronické komponenty
BSC019N02KSGAUMA1 Odbyt
BSC019N02KSGAUMA1 Dodavatel
BSC019N02KSGAUMA1 Distributor
BSC019N02KSGAUMA1 Datová tabulka
BSC019N02KSGAUMA1 Fotky
BSC019N02KSGAUMA1 Cena
BSC019N02KSGAUMA1 Nabídka
BSC019N02KSGAUMA1 Nejnižší cena
BSC019N02KSGAUMA1 Vyhledávání
BSC019N02KSGAUMA1 Nákup
BSC019N02KSGAUMA1 Chip