BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
Číslo dílu
BSC016N03LSGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
131nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41670 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC016N03LSGATMA1
BSC016N03LSGATMA1 Elektronické komponenty
BSC016N03LSGATMA1 Odbyt
BSC016N03LSGATMA1 Dodavatel
BSC016N03LSGATMA1 Distributor
BSC016N03LSGATMA1 Datová tabulka
BSC016N03LSGATMA1 Fotky
BSC016N03LSGATMA1 Cena
BSC016N03LSGATMA1 Nabídka
BSC016N03LSGATMA1 Nejnižší cena
BSC016N03LSGATMA1 Vyhledávání
BSC016N03LSGATMA1 Nákup
BSC016N03LSGATMA1 Chip