Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
Číslo dílu
BSC011N03LSIATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29786 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC011N03LSIATMA1
BSC011N03LSIATMA1 Elektronické komponenty
BSC011N03LSIATMA1 Odbyt
BSC011N03LSIATMA1 Dodavatel
BSC011N03LSIATMA1 Distributor
BSC011N03LSIATMA1 Datová tabulka
BSC011N03LSIATMA1 Fotky
BSC011N03LSIATMA1 Cena
BSC011N03LSIATMA1 Nabídka
BSC011N03LSIATMA1 Nejnižší cena
BSC011N03LSIATMA1 Vyhledávání
BSC011N03LSIATMA1 Nákup
BSC011N03LSIATMA1 Chip