BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Číslo dílu
BSC011N03LSATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33983 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC011N03LSATMA1
BSC011N03LSATMA1 Elektronické komponenty
BSC011N03LSATMA1 Odbyt
BSC011N03LSATMA1 Dodavatel
BSC011N03LSATMA1 Distributor
BSC011N03LSATMA1 Datová tabulka
BSC011N03LSATMA1 Fotky
BSC011N03LSATMA1 Cena
BSC011N03LSATMA1 Nabídka
BSC011N03LSATMA1 Nejnižší cena
BSC011N03LSATMA1 Vyhledávání
BSC011N03LSATMA1 Nákup
BSC011N03LSATMA1 Chip