Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Číslo dílu
BSC010NE2LSIATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15770 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC010NE2LSIATMA1
BSC010NE2LSIATMA1 Elektronické komponenty
BSC010NE2LSIATMA1 Odbyt
BSC010NE2LSIATMA1 Dodavatel
BSC010NE2LSIATMA1 Distributor
BSC010NE2LSIATMA1 Datová tabulka
BSC010NE2LSIATMA1 Fotky
BSC010NE2LSIATMA1 Cena
BSC010NE2LSIATMA1 Nabídka
BSC010NE2LSIATMA1 Nejnižší cena
BSC010NE2LSIATMA1 Vyhledávání
BSC010NE2LSIATMA1 Nákup
BSC010NE2LSIATMA1 Chip