BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
Číslo dílu
BSC010N04LSIATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TDSON-8 FL
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6200pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5978 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSC010N04LSIATMA1
BSC010N04LSIATMA1 Elektronické komponenty
BSC010N04LSIATMA1 Odbyt
BSC010N04LSIATMA1 Dodavatel
BSC010N04LSIATMA1 Distributor
BSC010N04LSIATMA1 Datová tabulka
BSC010N04LSIATMA1 Fotky
BSC010N04LSIATMA1 Cena
BSC010N04LSIATMA1 Nabídka
BSC010N04LSIATMA1 Nejnižší cena
BSC010N04LSIATMA1 Vyhledávání
BSC010N04LSIATMA1 Nákup
BSC010N04LSIATMA1 Chip