BSB013NE2LXIXUMA1
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
Číslo dílu
BSB013NE2LXIXUMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Ta), 163A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43293 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXIXUMA1 Elektronické komponenty
BSB013NE2LXIXUMA1 Odbyt
BSB013NE2LXIXUMA1 Dodavatel
BSB013NE2LXIXUMA1 Distributor
BSB013NE2LXIXUMA1 Datová tabulka
BSB013NE2LXIXUMA1 Fotky
BSB013NE2LXIXUMA1 Cena
BSB013NE2LXIXUMA1 Nabídka
BSB013NE2LXIXUMA1 Nejnižší cena
BSB013NE2LXIXUMA1 Vyhledávání
BSB013NE2LXIXUMA1 Nákup
BSB013NE2LXIXUMA1 Chip