Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
Číslo dílu
AUIRF7799L2TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L8
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L8
Ztráta energie (max.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
38 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6714pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39152 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF7799L2TR
AUIRF7799L2TR Elektronické komponenty
AUIRF7799L2TR Odbyt
AUIRF7799L2TR Dodavatel
AUIRF7799L2TR Distributor
AUIRF7799L2TR Datová tabulka
AUIRF7799L2TR Fotky
AUIRF7799L2TR Cena
AUIRF7799L2TR Nabídka
AUIRF7799L2TR Nejnižší cena
AUIRF7799L2TR Vyhledávání
AUIRF7799L2TR Nákup
AUIRF7799L2TR Chip