Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Číslo dílu
AUIRF7769L2TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L8
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L8
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21668 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AUIRF7769L2TR
AUIRF7769L2TR Elektronické komponenty
AUIRF7769L2TR Odbyt
AUIRF7769L2TR Dodavatel
AUIRF7769L2TR Distributor
AUIRF7769L2TR Datová tabulka
AUIRF7769L2TR Fotky
AUIRF7769L2TR Cena
AUIRF7769L2TR Nabídka
AUIRF7769L2TR Nejnižší cena
AUIRF7769L2TR Vyhledávání
AUIRF7769L2TR Nákup
AUIRF7769L2TR Chip