AUIRF7675M2TR
MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET
Číslo dílu
AUIRF7675M2TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric M2
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ M2
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32536 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF7675M2TR
AUIRF7675M2TR Elektronické komponenty
AUIRF7675M2TR Odbyt
AUIRF7675M2TR Dodavatel
AUIRF7675M2TR Distributor
AUIRF7675M2TR Datová tabulka
AUIRF7675M2TR Fotky
AUIRF7675M2TR Cena
AUIRF7675M2TR Nabídka
AUIRF7675M2TR Nejnižší cena
AUIRF7675M2TR Vyhledávání
AUIRF7675M2TR Nákup
AUIRF7675M2TR Chip