Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF7478QTR
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Číslo dílu
AUIRF7478QTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31425 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF7478QTR
AUIRF7478QTR Elektronické komponenty
AUIRF7478QTR Odbyt
AUIRF7478QTR Dodavatel
AUIRF7478QTR Distributor
AUIRF7478QTR Datová tabulka
AUIRF7478QTR Fotky
AUIRF7478QTR Cena
AUIRF7478QTR Nabídka
AUIRF7478QTR Nejnižší cena
AUIRF7478QTR Vyhledávání
AUIRF7478QTR Nákup
AUIRF7478QTR Chip